নয়াদিল্লি: ভারতের প্রতিরক্ষা গবেষণার ইতিহাসে নীরবে কিন্তু অত্যন্ত তাৎপর্যপূর্ণ এক সাফল্য অর্জিত হল (DRDO)। গ্যালিয়াম নাইট্রাইড ভিত্তিক সেমিকন্ডাক্টর চিপ বিশেষ করে Monolithic Microwave Integrated Circuits (MMICs) এবার সম্পূর্ণ দেশীয় প্রযুক্তিতে তৈরি করতে সক্ষম হল ভারত। এতদিন এই অত্যাধুনিক ও সংবেদনশীল প্রযুক্তি ছিল হাতে গোনা কয়েকটি উন্নত দেশের দখলে আমেরিকা, ফ্রান্স, রাশিয়া, চিন, জার্মানি ও দক্ষিণ কোরিয়া। সেই তালিকায় এবার যুক্ত হল ভারতের নাম।
এই সাফল্য এসেছে DRDO-র অধীন Solid State Physics Laboratory (SSPL), দিল্লি এবং Gallium Arsenide Enabling Technology Centre (GAETEC), হায়দরাবাদের যৌথ প্রচেষ্টায়। মেক ইন ইন্ডিয়া এবং আত্মনির্ভর ভারতের লক্ষ্যে এটি নিঃসন্দেহে এক ঐতিহাসিক মাইলফলক, যা ভারতের প্রতিরক্ষা স্বনির্ভরতা এবং প্রযুক্তিগত সার্বভৌমত্বকে বহু গুণ এগিয়ে নিয়ে গেল।
তৃণমূলের ১৪ ‘দাগি’ নেতার তালিকা প্রকাশ করে মমতাকে চ্যালেঞ্জ শাহের
সাধারণ সিলিকন-ভিত্তিক চিপের তুলনায় GaN প্রযুক্তি অনেক বেশি শক্তিশালী ও দক্ষ। মাত্র ৩.৫ মিমি × ৩.৫ মিমি আকারের একটি গ্যালিয়াম চিপ ৩০ ওয়াট পর্যন্ত পাওয়ার দিতে সক্ষম এবং সিলিকনের তুলনায় প্রায় ৩০০ গুণ দ্রুত সুইচ করতে পারে। উচ্চ ভোল্টেজ, চরম তাপমাত্রা ও কঠিন পরিবেশেও এই চিপগুলি অত্যন্ত স্থিতিশীল থাকে। শক্তি খরচ কম, সিগন্যাল লস কম ফলে সামরিক ব্যবস্থায় এদের গুরুত্ব অপরিসীম।
এই কারণেই আধুনিক যুদ্ধপ্রযুক্তিতে গ্যালিয়াম আজ অপরিহার্য। AESA রাডার, মিসাইল সিকার, ড্রোন, ইলেকট্রনিক ওয়ারফেয়ার সিস্টেম, স্যাটেলাইট কমিউনিকেশন, নৌবাহিনীর প্ল্যাটফর্ম সব ক্ষেত্রেই গ্যালিয়াম ব্যবহৃত হয়। ভবিষ্যতের ফাইটার জেট যেমন Tejas Mk2 বা Rafale-এর আপগ্রেডেড ভার্সনেও এই প্রযুক্তির প্রয়োজন হবে। গ্যালিয়ামের সাহায্যে প্রতিরক্ষা সিস্টেমগুলো আরও ছোট, হালকা, শক্তিশালী ও কার্যকর হয়ে ওঠে যা যুদ্ধক্ষেত্রে বড় কৌশলগত সুবিধা দেয়।
এই সাফল্যের পেছনে রয়েছে দীর্ঘ এক লড়াইয়ের গল্প। Rafale যুদ্ধবিমান কেনার সময় ভারত ফ্রান্সের কাছে গ্যালিয়াম প্রযুক্তির ট্রান্সফার চেয়েছিল। কিন্তু সেই অনুরোধ মানা হয়নি। রাশিয়া দ্বিধাগ্রস্ত ছিল, আর চিনের কাছ থেকে এই প্রযুক্তি পাওয়া প্রশ্নই ওঠে না। বিদেশি শক্তিগুলি সাধারণত এমন সেনসিটিভ প্রযুক্তি হস্তান্তর করতে চায় না। তখনই DRDO সিদ্ধান্ত নেয় বিদেশের উপর নির্ভর নয়, নিজেদের পথেই এগোবে ভারত।
গত এক দশক ধরে SSPL র বিজ্ঞানীরা গ্যালিয়াম নিয়ে গভীর গবেষণা চালিয়েছেন, আর GAETEC-এ হয়েছে তার ফ্যাব্রিকেশন। ২০২৩ সালে প্রথম সফলভাবে গ্যালিয়াম সার্কিট তৈরি হয়। ২০২৬ সালে এসে এই প্রযুক্তি সম্পূর্ণ তৈরী। বর্তমানে X-band পর্যন্ত ব্যবহারের জন্য ১৫০ ওয়াট ক্ষমতার HEMT এবং ৪০ ওয়াটের সার্কিট তৈরি হচ্ছে। শুধু তাই নয়, GaN-এর বেস হিসেবে ব্যবহৃত ৪-ইঞ্চি SiC ওয়েফারও এখন দেশে তৈরি করা সম্ভব হয়েছে।
এর প্রভাব সুদূরপ্রসারী। বিদেশ থেকে আমদানি বন্ধ হলে খরচ কমবে, সাপ্লাই চেইনের ঝুঁকি কমবে এবং জাতীয় নিরাপত্তা আরও মজবুত হবে। DRDO এই প্রযুক্তি দেশীয় শিল্পকে সাশ্রয়ী শর্তে হস্তান্তর করার পরিকল্পনা করেছে, যাতে ভারতে একটি পূর্ণাঙ্গ গ্যালিয়াম ইকোসিস্টেম গড়ে ওঠে। রাডার, মিসাইল, ড্রোন সব ক্ষেত্রেই ব্যবহৃত হবে মেক ইন ইন্ডিয়া চিপ।
